Специалисты МФТИ разработали способ изготовления контактов для транзисторов из дисульфида молибдена — материала, слой которого может иметь толщину всего около 0,65 нанометра.
Зачем это нужно? Современные процессоры производят из кремния, но бесконечно уменьшать кремниевые транзисторы нельзя. На сверхмалых размерах растут утечки тока, энергопотребление и нагрев.
Дисульфид молибдена намного тоньше и теоретически позволяет создавать более компактную и экономичную электронику. Однако возникала практическая проблема: при нанесении металлических контактов атомарно тонкий материал легко повреждался.
Учёные предложили сначала покрывать его защитным слоем диоксида титана толщиной около одного нанометра, а уже затем наносить металл. Прослойка защищает полупроводник, но остаётся достаточно тонкой, чтобы электроны могли проходить через неё. Исследование опубликовано в научном журнале Vacuum.
В перспективе технология может пригодиться для создания компактных, гибких и даже прозрачных электронных устройств. Представители МФТИ также говорят о потенциальном выигрыше в энергоэффективности в сотни раз.
Но процессоры выбрасывать пока рано. Готового чипа, тем более серийного производства, в этой работе нет. Учёные решили одну важную технологическую задачу — научились подключать металлический электрод к материалу толщиной в несколько атомов, не разрушая его.
И это действительно серьёзный результат — просто не тот «процессор будущего», который уже завтра появится в магазинах.
#tech #science @digitaltimeslv
Original in Telegram: https://t.me/digitaltimeslv/10058