ASML совместно с TSMC и другими производителями готовит переход на увеличенные фотошаблоны для литографии High-NA EUV. Они должны позволить переносить на кремний более крупный рисунок микросхемы. Пилотную линию планируют продемонстрировать к 2031 году, готовность технологии к массовому производству — к 2033-му.
«Если нам как отрасли удастся это осуществить, производительность этих систем вырастет на 40%», — заявил технический директор ASML Марко Питерс.
К инициативе по 12-дюймовым фотошаблонам присоединилась Samsung. Такой формат относится к маскам, задающим рисунок будущих микросхем, а не к размеру самих чипов.
#dtновости #полупроводники #ASML #TSMC
@digitaltimeslv
Original in Telegram: https://t.me/digitaltimeslv/10442