Renesas расширила линейку силовых компонентов четырьмя 100-вольтовыми GaN-транзисторами для питания серверов, робототехники, промышленного оборудования и электроприводов. Новые компоненты и оценочные платы уже доступны; сопротивление открытого канала составляет от 1,2 до 5 мОм, а совместимые с обычными MOSFET корпуса упрощают переход с кремния на нитрид галлия.
Производитель заявляет снижение переключательных потерь на 40–70% и увеличение плотности мощности до двух раз — в зависимости от схемы и применения. Быстрое переключение позволяет уменьшать магнитные и пассивные компоненты источника питания. Экономия относится к потерям преобразователя: обещания сократить на столько же энергопотребление всего дата-центра в сообщении нет.
Сообщение Renesas о 100-вольтовых GaN FET
#новости #полупроводники #энергетика
@digitaltimeslv
Original in Telegram: https://t.me/digitaltimeslv/10888